机译:基于高分辨率技术的光掩模制造的特性,该技术具有非化学放大的抗蚀剂和曝光后烘烤
机译:使用化学放大的抗蚀剂工艺的电子束光刻技术制造7纳米四分之一间距(7纳米间距和21纳米线宽)的线和间隔图案的理论研究:I.灵敏度和化学梯度之间的关系
机译:使用电子束光刻和化学放大抗蚀剂工艺制造具有7 nm四分之一间距的线间距图形时,必须抑制线宽粗糙度
机译:使用257nm光学图案发生器对光掩模制造的非化学放大抗蚀剂的表征
机译:探索基于溶出抑制剂的非化学放大抗蚀剂,用于193 nm光刻。
机译:亚10 nm特征铬光掩模用于方形金属环阵列的接触光刻构图
机译:基于模拟的257 nm激光掩模制造中非化学放大抗蚀剂的配方